This letter presents an ultra-compact gm-boost low noise amplifier (LNA) with only one multi-coupled transformer for the first time. Implemented in 65-nm CMOS process, the proposed LNA achieves a measured peak gain of 10.5 dB with its 3-dB bandwidth ranging from 21 to 34.5 GHz and a noise figure (NF) of 2.5 dB at 28 GHz, while consuming 4-mW dc power. Based on the superior compactness of the transformer, the core area of the LNA is optimized to only 0.03 mm20.03~{\text {mm}}^{2} .

中文翻译：

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一种采用 65 nm CMOS 中的一个多耦合变压器的 K 波段超紧凑 Gm-Boost LNA


这封信首次介绍了一款仅带有一个多耦合变压器的超紧凑 gm-boost 低噪声放大器 (LNA)。所提出的 LNA 采用 65 nm CMOS 工艺实现，测量峰值增益为 10.5 dB，其 3 dB 带宽范围为 21 至 34.5 GHz，噪声系数 (NF) 在 28 GHz 为 2.5 dB，同时功耗为 4 mW直流电源。基于变压器优越的紧凑性，LNA的磁芯面积优化至仅为0.03 mm20.03~{\text {mm}}^{2} 。