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评估 TEM 方法在单层和少层 TMD 中的层数特征，例如 MoS2 和 MoTe2
Micron ( IF 2.5 ) Pub Date : 2022-06-01 , DOI: 10.1016/j.micron.2022.103303
Janis Köster 1 , Alexander Storm 1 , Tatiana E Gorelik 1 , Michael J Mohn 1 , Fabian Port 2 , Manuel R Gonçalves 2 , Ute Kaiser 1
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更新日期：2022-06-01
Micron ( IF 2.5 ) Pub Date : 2022-06-01 , DOI: 10.1016/j.micron.2022.103303
Janis Köster 1 , Alexander Storm 1 , Tatiana E Gorelik 1 , Michael J Mohn 1 , Fabian Port 2 , Manuel R Gonçalves 2 , Ute Kaiser 1
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在单层和少层二维材料中，确切的层数是一个关键参数，决定了材料的特性，从而决定了它们在未来纳米器件中的性能。在这里，我们以系统的方式评估剥离的独立单层和少层 MoS 2和 MoTe 2在 TEM 实验中的特征，例如高分辨率透射电子显微镜、电子能量损失光谱和 3D 电子衍射。层数的参考已通过基板上的光学对比度和 AFM 测量确定。比较结果，我们讨论了优势和局限性，对三种 TEM 方法识别确切层数的能力进行了基准测试。
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