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高单体浓度下胶体量子点的尺寸聚焦
Nano Research ( IF 9.5 ) Pub Date : 2022-05-31 , DOI: 10.1007/s12274-022-4340-4
Huiyan Liu , Zhi Liu , Chaodan Pu

扩散控制生长模式被广泛用于缩小胶体量子点的尺寸分布。然而,这种增长方式总是在增长后期出现规模扩大的问题。通过监测 CdS 胶体量子点的生长过程,我们发现尺寸变宽是不同形态的 CdS 胶体量子点 (CQD) 生长速率不同的结果。单体浓度依赖性生长实验表明,不同的生长速率是由 CdS CQD 的不同配体渗透性引起的。立方的比非立方的具有较低的配体渗透性,但饱和表面反应速率较高,导致在较高单体浓度下意想不到的更窄的尺寸分布。通过添加氯离子可以获得更有效的窄化,这可以增加所有 CdS CQD 的配体渗透性,以及立方和非立方 CdS CQD 之间配体渗透性和表面反应的相反差异。对于 430 到 500 nm 的 PL 峰,CdS CQD 的光致发光 (PL) 半峰全宽 (FWHM) 可以缩小到 80 meV 以下。鉴于在胶体纳米晶体的溶液合成中不可避免地使用配体,形态差异对生长速率的影响应该是普遍的。我们的结果可以提供一种替代解决方案来实现胶体纳米晶体合成的尺寸聚焦。对于 430 到 500 nm 的 PL 峰,CdS CQD 的光致发光 (PL) 半峰全宽 (FWHM) 可以缩小到 80 meV 以下。鉴于在胶体纳米晶体的溶液合成中不可避免地使用配体,形态差异对生长速率的影响应该是普遍的。我们的结果可以提供一种替代解决方案来实现胶体纳米晶体合成的尺寸聚焦。对于 430 到 500 nm 的 PL 峰,CdS CQD 的光致发光 (PL) 半峰全宽 (FWHM) 可以缩小到 80 meV 以下。鉴于在胶体纳米晶体的溶液合成中不可避免地使用配体,形态差异对生长速率的影响应该是普遍的。我们的结果可以提供一种替代解决方案来实现胶体纳米晶体合成的尺寸聚焦。





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更新日期:2022-06-01
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