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由于强电子-声子相互作用,p 型填充方钴矿的晶格热导率显着降低
Journal of Materials Chemistry A ( IF 10.7 ) Pub Date : 2022-05-30 , DOI: 10.1039/d2ta02687b
Zhenyu Zhu 1 , Jinyang Xi 1, 2 , Jiong Yang 1, 2
Journal of Materials Chemistry A ( IF 10.7 ) Pub Date : 2022-05-30 , DOI: 10.1039/d2ta02687b
Zhenyu Zhu 1 , Jinyang Xi 1, 2 , Jiong Yang 1, 2
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电子 - 声子相互作用(EPI)已广泛适用于电传输特性。然而,它对晶格热传输的关键影响在过去几年中已经被揭示。最近,人们发现在硅、二维材料等高载流子浓度和低温条件下,EPI可以显着降低晶格热导率;然而,关于热电(TE)材料的讨论却很少。在这项研究中,我们研究了 EPI 对方钴矿 CoSb 3和 p 型填充 BaFe 4 Sb 12的晶格热导率的影响。在 300 K 和 10 21 cm -3载流子浓度下,CoSb 3的晶格热导率分别从 10.7 W m -1 K -1降低到 7.03 W m -1 K -1(空穴掺杂,减少 34.3%)和 8.18 W m -1 K -1(电子掺杂,减少 23.6%),而BaFe 4 Sb 12从3.24 W m -1 K -1降低到1.14 W m -1 K -1 (空穴浓度为5×10 21 cm -3 ),降低了64.8%。BaFe 4 Sb 12中的显着 EPI 效应主要是由于态密度(DOS)大和EPI强度强。我们的研究表明,EPI 在填充方钴矿的晶格热导率中起着重要作用,并且可以进一步优化其 TE 性能。
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更新日期:2022-05-30

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