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S/Fe掺杂六方氮化硼(h-BN)片的理论研究:电子和光学性能
Applied Surface Science ( IF 6.3 ) Pub Date : 2022-05-29 , DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.153719 Qizheng Zhuo , Xujie Liu , Jianliang OU , Zhongtian Fu , Xinyang Xu
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更新日期:2022-05-29
Applied Surface Science ( IF 6.3 ) Pub Date : 2022-05-29 , DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.153719 Qizheng Zhuo , Xujie Liu , Jianliang OU , Zhongtian Fu , Xinyang Xu
受限于h-BN的宽带隙,h-BN在光催化中的应用极具挑战性。在本文中,提出了一种将单层 h-BN 与硫和铁共掺杂的策略,以提高光催化剂的稳定性和催化活性。首先,基于密度泛函理论(DFT),创建并优化了几种具有铁装饰的单层h-BN纳米片模型。其次,本文研究了结构、电子和光学性质,计算证明引入主要由Fe 3d轨道组成的杂质能级是解决氮化硼宽禁带问题的关键。HOMO-LUMO分析表明S原子参与了电子的重新分布,从而抑制了电子-空穴对的复合。本工作验证了硫铁共掺杂单层h-BN具有更高的光催化能力和更宽的光吸收范围。该论文为h-BN在光催化方向上的改性指明了一条有希望的道路。
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