使用介电相关混合泛函准确预测 Sc2O3/GaN 和 θ-Al2O3/GaN 异质结,ACS Applied Electronic Materials

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使用介电相关混合泛函准确预测 Sc2O3/GaN 和 θ-Al2O3/GaN 异质结
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2022-05-19 , DOI: 10.1021/acsaelm.2c00255
Jing Ni ₁ , Shunbo Hu _{1,

2} , Musen Li ₁ , Fanhao Jia _{1,

3} , Guanhua Qin ₂ , Qiang Li ₁ , Zimo Zhou ₁ , Fangxing Zha ₄ , Wei Ren _{1,

2,

4} , Yin Wang _{1,

2,

4}

Affiliation

超宽带隙半导体异质结 Sc ₂ O ₃ /GaN 和 θ-Al ₂ O ₃ /GaN 在密度泛函理论 (DFT) 的框架下进行了探索。本研究采用介电相关杂化（DDH）泛函，它在描述宽带隙材料中占主导地位的介电屏蔽方面优于其他半局部混合泛函。计算的 GaN、Sc ₂ O ₃和 θ-Al ₂ O ₃的带隙可以很好地与现有的实验测量相匹配。Sc ₂ O ₃ /GaN 和 θ-Al ₂ O ₃/GaN异质结呈现I型能带排列，Sc ₂ O ₃ /GaN和θ-Al ₂ O ₃ /GaN异质结的价/导带偏移分别表现出0.93/1.89和2.25/0.95 eV的值。计算方法和程序可用于预测其他宽带隙半导体异质结的能带偏移。

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更新日期：2022-05-19

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