摘要 本文阐述了以下研究和开发的当前趋势：(1) 塑料基板上的薄膜晶体管 (TFT)，(2) 用于像素 TFT 以及玻璃上的行和列驱动器的低温多晶硅 (LTPS) , (3) 通过硅 TFT 对有机发光二极管的寻址。对于 TFT 的这些先进应用，相关问题是：(i) 更高的电子迁移率，(ii) 稳定性，以及 (iii) 以高沉积速率（降低成本）无缺陷、均匀地沉积薄硅膜和栅极电介质。在乌得勒支大学，我们正在研究热线（催化）化学气相沉积 (CVD) 作为一种新型 TFT 的沉积技术，该技术具有满足上述要求的高潜力。底门，具有热线 CVD (HWCVD) 硅膜的反向交错 TFT 已制成具有 1.5 cm 2 / V s 的电子迁移率，并且具有在工作条件下完全稳定的场效应特性。已经制造了具有多晶硅（poly-Si）膜的顶栅共面TFT，其迁移率为4.7 cm 2 / V s 。这是在没有任何后处理的情况下获得的，因此热线技术可以避免昂贵、耗时的步骤，例如目前用于生产最新多晶硅膝上型显示器的激光再结晶。HWCVD 也适用于沉积 SiNx:H 栅极电介质。已经沉积了具有热线氮化硅栅极电介质的TFT。已经制造了具有多晶硅 (poly-Si) 薄膜的共面 TFT，其迁移率为 4.7 cm 2 / V s 。这是在没有任何后处理的情况下获得的，因此热线技术可以避免昂贵、耗时的步骤，例如目前用于生产最新多晶硅膝上型显示器的激光再结晶。HWCVD 也适用于沉积 SiNx:H 栅极电介质。已经沉积了具有热线氮化硅栅极电介质的TFT。已经制造了具有多晶硅 (poly-Si) 薄膜的共面 TFT，其迁移率为 4.7 cm 2 / V s 。这是在没有任何后处理的情况下获得的，因此热线技术可以避免昂贵、耗时的步骤，例如目前用于生产最新多晶硅膝上型显示器的激光再结晶。HWCVD 也适用于沉积 SiNx:H 栅极电介质。已经沉积了具有热线氮化硅栅极电介质的TFT。HWCVD 也适用于沉积 SiNx:H 栅极电介质。已经沉积了具有热线氮化硅栅极电介质的TFT。HWCVD 也适用于沉积 SiNx:H 栅极电介质。已经沉积了具有热线氮化硅栅极电介质的TFT。



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