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导电聚吡咯薄膜的结构、电学和微波特性:氧化剂的影响
Materials Research Express ( IF 1.8 ) Pub Date : 2018-08-31 , DOI: 10.1088/2053-1591/aadaf7
Ninad Velhal , Gopal Kulkarni , N D Patil , Vijaya Puri

本文展示了使用不同氧化剂合成导电聚吡咯 (Ppy) 薄膜及其对聚吡咯薄膜结构、电学和微波特性的影响。对制备的薄膜进行了XRD、FTIR、SEM、拉曼、直流电导率和微波特性的表征。XRD分析证明,使用各种氧化剂制备的聚吡咯薄膜大多是无定形的。FTIR光谱表明存在聚吡咯的所有特征吸收峰。形态学研究表明,通过不同氧化剂合成的聚吡咯薄膜的 SEM 显微照片发生了巨大变化,而在拉曼光谱中在 936 cm-1 和 971 cm-1 处观察到的谱带揭示了极化子和双极化子的形成,这证实了聚吡咯薄膜的导电性质电影。直流电导率研究表明,使用氧化剂 K2S2O8 合成的 Ppy 薄膜的最大电导率高达 135.8 × 10-3 S cm-1,并且在 8-18 GHz 频率范围内表现出更好的微波吸收性能。类似地,观察到使用氧化剂 K2S2O8 制备的 Ppy 薄膜的屏蔽效果值相对较高,高达 14.75 dB,即在 10.2 GHz 时吸收了约 90% 的微波辐射。



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更新日期:2018-08-31
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