摘要 SiGe HBT 是一种非常有吸引力的用于空间通信应用的器件。该技术将 III-V 半导体的高速与成熟且简单的硅制造工艺相结合，允许在同一晶片上制造射频、模拟和数字设备。此外，在总电离剂量和位移损伤的情况下，SiGe HBT 被发现具有极强的辐射强度。然而，通过实验和模拟表明，这些设备容易受到单事件效应 (SEE) 的影响。SEE 是设备正常操作（其逻辑状态、电流、瞬态等）由于入射离子产生的载流子移动而在电极中产生的感应电流而发生的变化。我们使用了四个电极（基极、发射极、集电极、和基板）在桑迪亚重离子核微探针设施的 IBIC 测量。SiGe HBT 通常使用深沟槽隔离 (DTI) 设计，以最大限度地减少从子集电极到基板的寄生电容（更快的速度），并允许将器件制造得更紧密。另一个好处是 DTI 不会让来自外部撞击的载流子扩散到结中并感应电流。我们的实验和 TCAD 模拟表明，虽然通过这种设计实现了上述目标，但它增加了有效区域中离子撞击的感应电荷量。在标准和辐射硬化设计 (RHBD) 带隙电压参考 (BGR) 电路中研究了单事件瞬变 (SET)。SiGe HBT 通常使用深沟槽隔离 (DTI) 设计，以最大限度地减少从子集电极到基板的寄生电容（更快的速度），并允许将器件制造得更紧密。另一个好处是 DTI 不会让来自外部撞击的载流子扩散到结中并感应电流。我们的实验和 TCAD 模拟表明，虽然通过这种设计实现了上述目标，但它增加了有效区域中离子撞击的感应电荷量。在标准和辐射硬化设计 (RHBD) 带隙电压参考 (BGR) 电路中研究了单事件瞬变 (SET)。SiGe HBT 通常使用深沟槽隔离 (DTI) 设计，以最大限度地减少从子集电极到基板的寄生电容（更快的速度），并允许将器件制造得更紧密。另一个好处是 DTI 不会让来自外部撞击的载流子扩散到结中并感应电流。我们的实验和 TCAD 模拟表明，虽然通过这种设计实现了上述目标，但它增加了有效区域中离子撞击的感应电荷量。在标准和辐射硬化设计 (RHBD) 带隙电压参考 (BGR) 电路中研究了单事件瞬变 (SET)。另一个好处是 DTI 不会让来自外部撞击的载流子扩散到结中并感应电流。我们的实验和 TCAD 模拟表明，虽然通过这种设计实现了上述目标，但它增加了有效区域中离子撞击的感应电荷量。在标准和辐射硬化设计 (RHBD) 带隙电压参考 (BGR) 电路中研究了单事件瞬变 (SET)。另一个好处是 DTI 不会让来自外部撞击的载流子扩散到结中并感应电流。我们的实验和 TCAD 模拟表明，虽然通过这种设计实现了上述目标，但它增加了有效区域中离子撞击的感应电荷量。在标准和辐射硬化设计 (RHBD) 带隙电压参考 (BGR) 电路中研究了单事件瞬变 (SET)。



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