具有光突触功能的高度可拉伸的基于 MoS2 的晶体管,Advanced Electronic Materials

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具有光突触功能的高度可拉伸的基于 MoS2 的晶体管
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2022-05-15 , DOI: 10.1002/aelm.202200238
Jiawei Li _{1,

2} , Na Li _{1,

3} , Qinqin Wang _{1,

2} , Zheng Wei _{1,

2} , Congli He ₄ , Dashan Shang ₅ , Yutuo Guo _{1,

2} , Woyu Zhang ₅ , Jian Tang _{1,

2} , Jieying Liu _{1,

2} , Shuopei Wang _{1,

3} , Wei Yang _{1,

2} , Rong Yang _{1,

3} , Dongxia Shi _{1,

2} , Guangyu Zhang _{1,

2,

3}

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可拉伸设备可以与附着的物体形成亲密的界面，从而在可穿戴电子学、生物电子学和人工仿生学中得到广泛应用。新兴的二维材料因其超薄的性质和出色的机械性能而被认为是可拉伸电子产品的理想候选者。然而，先前展示的可拉伸二维半导体器件通常在不足的应变范围内工作，器件性能较差，主要是由于机械故障。在这里，报道了在弹性体基板上制造弯曲的单层二硫化钼 (MoS ₂ ) 场效应晶体管 (FET)。这些可拉伸的 MoS ₂ FET 表现出稳定的性能，迁移率约为 30 cm ² V ^-1s ^{-1 ，≈10}⁸的开/关比和≈180 mV dec ^-1的亚阈值摆动（SS）在超过10％的应变下多次循环拉伸释放过程后。特别是，已经证明了将这些可拉伸的 MoS ₂晶体管应用于光电突触和识别任务中的神经网络模拟的可行性。

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更新日期：2022-05-15

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