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电荷转移机制及其对吸附在单层WS2上的气体分子的费米能级钉扎的影响
The Journal of Chemical Physics ( IF 3.1 ) Pub Date : 2015-06-03 13:12:54 , DOI: 10.1063/1.4922049 Changjie Zhou 1 , Weihuang Yang 2 , Huili Zhu 1
The Journal of Chemical Physics ( IF 3.1 ) Pub Date : 2015-06-03 13:12:54 , DOI: 10.1063/1.4922049 Changjie Zhou 1 , Weihuang Yang 2 , Huili Zhu 1
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进行密度泛函理论计算,以评估吸附各种气体分子(H 2,O 2,H 2 O,NH 3,NO,NO 2和CO)后单层WS 2的几何和电子结构的变化。确定了最稳定的吸附分子构型,吸附能量以及被吸附物与底物之间的电荷转移程度。所有评估的分子均以低电荷转移程度物理吸附在单层WS 2上,并从单层接受电荷,但NH 3是电荷供体。能带结构计算表明,单层WS的价带和导带2不显著在吸附H改变2,H 2 O,NH 3和CO,而的O-最低未占分子轨道2,NO,和NO 2围绕费米能级钉扎当这些分子被吸附在单分子层WS 2。根据传统和轨道混合电荷转移理论,讨论了费米能级钉扎现象。对于吸附在单层WS 2上的气体分子,证实了电荷转移机制对费米能级钉扎的影响。提出的控制费米能级钉扎的机制适用于最近开发的二维材料(例如石墨烯和过渡金属二卤化碳)上的吸附物系统。
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更新日期:2015-06-04
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