当前位置:
X-MOL 学术
›
J. Phys. Chem. C
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
用于光电化学水氧化的可见光活性NiV 2 O 6膜
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2014-11-20 00:00:00 , DOI: 10.1021/jp508349g
Hoang X. Dang 1 , Alexander J. E. Rettie 1 , C. Buddie Mullins 1
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2014-11-20 00:00:00 , DOI: 10.1021/jp508349g
Hoang X. Dang 1 , Alexander J. E. Rettie 1 , C. Buddie Mullins 1
Affiliation
![]() |
NiV 2 O 6薄膜被成功制备并表征为用于光电化学(PEC)水氧化的光阳极。通过真空共沉积Ni和V并随后在空气中退火来合成薄膜。所得的三斜晶NiV 2 O 6膜是n型半导体,其光学跃迁在〜2.1 eV(间接)和2.4 eV(直接)下。在1 M KOH中的光电化学测试显示,光电化学带隙约为2.4 eV,约45%的光电流来自λ> 420 nm的光。NiV 2 O 6电极在碱性电解质的偏压下显示出相当稳定的光电流,这表明尽管其带隙相对较小,但化学抗光腐蚀的稳定性却很高。NiV 2 O 6的平坦带电势相对于RHE为〜0.6 V,因此允许光生空穴热力学上氧化水,并通过氧气析出测量得到证实(法拉第效率为〜80%)。建议使用合适的析氧催化剂和n型掺杂来进一步改善这种材料的PEC性能。关于寻找能够在太阳光谱的可见光区域中收集光子的廉价光阳极,Ni和V的可用性使NiV 2 O 6成为光电化学用途的有希望的阳极材料。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期:2014-11-20

"点击查看英文标题和摘要"