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用于电阻随机存取存储器的 Bi2O2Se/Bi2SeOx 纳米片的二维异质结构
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2022-04-27 , DOI: 10.1002/aelm.202200126
Yan Xia 1 , Jing Wang 1 , Rui Chen 1 , Hongbo Wang 1 , Hang Xu 1 , Changzhong Jiang 1 , Wenqing Li 1 , Xiangheng Xiao 1, 2
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2022-04-27 , DOI: 10.1002/aelm.202200126
Yan Xia 1 , Jing Wang 1 , Rui Chen 1 , Hongbo Wang 1 , Hang Xu 1 , Changzhong Jiang 1 , Wenqing Li 1 , Xiangheng Xiao 1, 2
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二维材料在电阻随机存取存储器 (RRAM) 用于信息存储的应用中显示出巨大的潜力。二维半导体氧硒化铋（Bi 2 O 2 Se）因其在多功能纳米电子学中的优异性能而引起了广泛关注。通过使用化学气相沉积（CVD）方法，生长出高质量的Bi 2 O 2 Se 纳米片。结合氧等离子体法，Bi 2 O 2 Se/Bi 2 SeO x的二维异质结构实现了纳米片；并且异质结构表现出明显的电阻转换行为。详细分析了电阻切换机制，并讨论了所制造器件的导电机制。通过O 2等离子体处理的方法赋予Bi 2 O 2 Se 纳米片的电阻转换特性，使其在RRAM中的应用具有可行性。
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更新日期：2022-04-27
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