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中空Zn2SnO4/SnO2纳米立方体的制备及气敏性能
Inorganic Chemistry Communications ( IF 4.4 ) Pub Date : 2022-04-25 , DOI: 10.1016/j.inoche.2022.109507
Dianpu Ma 1 , Lang Zhang 2 , Juntao Hu 1 , Zewei Fu 1 , Tan Luo 2 , Di Yang 2 , Dong Fang 2 , Jun Li 1 , Jubo Peng 1 , Yingwu Wang 3
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更新日期：2022-04-25
Inorganic Chemistry Communications ( IF 4.4 ) Pub Date : 2022-04-25 , DOI: 10.1016/j.inoche.2022.109507
Dianpu Ma 1 , Lang Zhang 2 , Juntao Hu 1 , Zewei Fu 1 , Tan Luo 2 , Di Yang 2 , Dong Fang 2 , Jun Li 1 , Jubo Peng 1 , Yingwu Wang 3
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具有多孔或空心异质结构的金属氧化物半导体可以通过促进自由电子密度的增加和测试气体的扩散来显着提高材料的气敏性能。首先采用一步水热法合成ZnSn(OH) 6 ，然后在空气中煅烧得到Zn 2 SnO 4与SnO 2晶粒间具有nn异质结的空心Zn 2 SnO 4 /SnO 2纳米立方体。Zn 2 SnO 4 /SnO 2传感器具有良好的响应（R a /R g) 对乙醇和甲醛与其他挥发性有机化合物 (VOC) 气体相比。具体而言，在 100 ppm 200 °C 乙醇和甲醛中，R a /R g分别为 11.12 和 9.16。此外，系统地讨论了该传感器的重复性、稳定性和环境湿度以及增强机制。这些结果表明，具有中空结构的Zn 2 SnO 4 /SnO 2纳米立方体是一种很有前途的VOC气体检测传感材料。
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