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NH3 在多晶铜和 Cu(110) 上还原 N2O:XPS、FT-IRRAS 和动力学研究的组合
Applied Catalysis B: Environment and Energy ( IF 20.2 ) Pub Date : 2006-01-10 , DOI: 10.1016/j.apcatb.2005.06.007
I LOUISROSE , C METHIVIER , J VEDRINE , C PRADIER
Applied Catalysis B: Environment and Energy ( IF 20.2 ) Pub Date : 2006-01-10 , DOI: 10.1016/j.apcatb.2005.06.007
I LOUISROSE , C METHIVIER , J VEDRINE , C PRADIER
摘要 在多晶Cu平面芯片(3 cm × 3 cm × 0.1 cm)或Cu(1 1 0)单晶上研究了N 2 O分解和NH 3 催化还原N 2 O的动力学。晶体,使用催化测试设备、XPS 和 FT-IRRAS 技术。已经表明,N 2 O 在金属 Cu 上分解,但随后生成 Cu 2 O,这对 N 2 O 分解有害。还原剂(例如 NH 3 )的存在使 N 2 O 发生反应,导致其催化还原为 N 2 ;500 °C 是单独催化还原的最佳温度,即 N 2 O 或 NH 3 的附加自分解低。氧的存在量少于NH 3 的量,导致更有效的NH 3 氧化,观察到氧比NH 3 上的N 2 O更具反应性。XPS 结果能够将活性表面识别为金属Cu 和Cu 3 N,用于NH 3 氧化和NH 2 、NH、N 吸附物质作为反应的中间体。在室温下,在存在 N 2 O、O 2 和 NH 3 的情况下,FT-IRRAS 允许显示形成 NH 2 和 NH 物质(分别在 1550 和 1440 cm -1 的波段)和两个 N 2 δ - 物质(2170 和 2204 cm -1 的谱带),后者对应于吸附的 N 2 δ - 接近于吸附的电子接受 O 或 OH 物质的物质。该研究表明,在 SCR 反应过程中,N 2 O 分解为 N 2 和 O 物质;它能够识别几种吸附的表面物质(N,NH,NH 2 ,N 2 δ - ),无论是在多晶Cu芯片上在500°C催化反应后通过XPS还是通过IRRAS在Cu(1 1 0)单晶上反应物在室温下的存在。
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更新日期:2006-01-10

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