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超宽带 NIR pc-LED 实现快速无损检测
Laser & Photonics Reviews ( IF 9.8 ) Pub Date : 2022-04-07 , DOI: 10.1002/lpor.202200012
Hao Suo 1, 2 , Yu Wang 1 , Xiaoqi Zhao 3 , Xin Zhang 2 , Leipeng Li 1 , Kuiwen Guan 4 , Wenge Ding 1 , Panlai Li 1 , Zhijun Wang 1 , Feng Wang 2
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近红外 (NIR) 光谱技术的快速发展极大地促进了新型宽带 NIR 发射荧光粉作为先进光源的发现。本文报道了一种新型双钙钛矿荧光粉 La 2 MgHfO 6 :Cr 3+ /Yb 3+,它显示出超宽带近红外发射,半高全宽 (FWHM) 为 333 nm。显着的发光特性源于多个结晶位点、相对较弱的晶体场和高效的 Cr 3 -to-Yb 3+能量转移 (ET)。Cr 3+的占位通过 Rietveld 细化和第一性原理计算详细验证。通过控制 ET 过程,NIR 发射的内部/外部量子效率 (IQE/EQE)、带宽和热稳定性得到显着改善。所制备的荧光粉进一步集成到小型近红外发光二极管 (LED) 封装中,在快速无损检测细电缆结构故障方面表现出卓越的性能。这里描述的结果为设计具有所需光学特性的宽带 NIR 发射磷光体提供了一个新的切入点,以应用于工业检测和医学诊断。



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更新日期:2022-04-07
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