Al Preflow 对 Si (111) 衬底上生长的 AlN 成核层和 GaN 均匀性的影响,Journal of Electronic Materials

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Al Preflow 对 Si (111) 衬底上生长的 AlN 成核层和 GaN 均匀性的影响
Journal of Electronic Materials ( IF 2.2 ) Pub Date : 2022-04-07 , DOI: 10.1007/s11664-022-09560-4
Jinbang Ma _{1,

2} , Yachao Zhang _{1,

2} , Yixin Yao _{1,

2} , Tao Zhang _{1,

2} , Yifan Li _{1,

2} , Qian Feng _{1,

2} , Zhen Bi _{1,

2} , Jincheng Zhang _{1,

2} , Yue Hao _{1,

2}

Affiliation

在这项工作中，本文研究了Al预流对Si衬底上生长的氮化铝（AlN）成核层均匀性的影响，发现在铝预流期间适当增加气体流速可以大大提高位错的均匀性，以及成核层的晶体质量和表面形态。AlN (102) 平面在中心、半半径和边缘的半高全宽 (FWHM) 分别从 826 arcsec/897 arcsec/1196 arcsec 减小到 691 arcsec/738 arcsec/900 arcsec。而且，在优化后的AlN层上生长的氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN）的薄层电阻均匀性从6.66%降低到2.84%，这是一个显着的提升，有利于GaN基性能的提升。设备。

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更新日期：2022-04-07

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