具有 Ti 阳离子空位的 TiO2(B) 纳米片中高度可逆的电化学镁/锂嵌入性能,Chemical Engineering Journal

当前位置： X-MOL 学术 › Chem. Eng. J. › 论文详情

Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)

具有 Ti 阳离子空位的 TiO2(B) 纳米片中高度可逆的电化学镁/锂嵌入性能
Chemical Engineering Journal ( IF 13.3 ) Pub Date : 2022-04-09 , DOI: 10.1016/j.cej.2022.136146
Hongwei Bi ₁ , Shengli Zhu _{1,

2} , Yanqin Liang _{1,

3,

4} , Hui Jiang _{1,

3,

4} , Zhaoyang Li _{1,

3,

4} , Shuilin Wu _{1,

3,

4} , Hao Wei ₅ , Chuntao Chang ₆ , Zhenduo Cui _{1,

3,

4}

Affiliation

多价离子电池前景广阔。作为关键缺陷之一，阳离子空位可以提高扩散系数和电子导电性，并提供额外的金属离子存储位点。在这里，我们通过用 F 代替 O制备了二维阳离子缺陷型 TiO ₂ (B) 纳米片 (D-TiO _{2 (B))。D-TiO}₂ (B) 表现出优异的电荷转移和电化学动力学性能。在镁离子电池中，D-TiO ₂ (B) 电极在 100 mA g ^-1循环 200 次后提供 129.4 mAh g ^-1的高可逆容量。此外，D-TiO ₂(B)电极在锂离子电池中也表现出高比容量、良好的长循环稳定性和倍率性能。改进的电化学性能归因于扩散系数的提高、丰富的储能位点以及由于阳离子空位和 F 导致的界面电阻降低。

"点击查看英文标题和摘要"

更新日期：2022-04-09

点击分享查看原文

点击收藏

阅读更多本刊新发论文本刊介绍/投稿指南