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同时改善具有甲硅烷基醚侧基的芴基聚酰亚胺的光学、介电和溶解性能
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2022-04-01 , DOI: 10.1021/acsomega.2c00069
Yancheng Wu 1, 2 , Shumei Liu 2 , Jianqing Zhao 2
Affiliation  

通过含羟基聚酰亚胺 (OH-PIs) 和叔丁基氯二苯基硅烷 (TBDPSCl)的简单高效的硅醚化反应,成功合成了三种具有硅醚基团的芴基聚酰亚胺 (Si-PIs) ,其结构由1 H NMR和IR光谱。笨重的非极性叔叔改性PI单元中的-丁基二苯基甲硅烷基(TBDPS)侧基而不是强电子供体-OH基团有利于减少沿PI链的电子共轭和电荷转移(CT)相互作用。因此,与前驱体 OH-PI 薄膜相比,改性 Si-PI 薄膜的光学、介电和溶解度性能同时得到改善。改性的 Si-PI 薄膜在 400 nm ( T 400) 从 42% 到 55% 的 OH-PI 薄膜从 74% 到 81% 以及荧光特性的再生。由于被大体积的非极性 TBDPS 基团取代,Si-PI 薄膜的介电常数和损耗在 1 kHz 时也明显从 OH-PI 薄膜的 4.19 到 4.78 和 0.0173-0.0295 分别降低到 2.63-2.75 和 0.0024-0.0091增加Si-PI薄膜的自由体积和疏水性。Si-PIs 在低极性或非极性溶剂(如 CHCl 3、CH 2 Cl 2、丙酮和甲苯)中的溶解度显着提高。此外,Si-PI 薄膜仍保持较好的热性能,在氮气氛下的 5% 失重温度 ( T 5% ) 在 470-491 °C 范围内和玻璃化转变温度 (T g ) 在 245–308 °C 范围内。



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更新日期:2022-04-01
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