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通过 hBN 中的光极化 VB-自旋态进行电子-核相干耦合和核自旋读出
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2022-03-31 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c04610 Fadis F Murzakhanov 1 , Georgy Vladimirovich Mamin 1 , Sergei Borisovich Orlinskii 1 , Uwe Gerstmann 2 , Wolf Gero Schmidt 2 , Timur Biktagirov 2 , Igor Aharonovich 3, 4 , Andreas Gottscholl 5 , Andreas Sperlich 5 , Vladimir Dyakonov 5 , Victor A Soltamov 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2022-03-31 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c04610 Fadis F Murzakhanov 1 , Georgy Vladimirovich Mamin 1 , Sergei Borisovich Orlinskii 1 , Uwe Gerstmann 2 , Wolf Gero Schmidt 2 , Timur Biktagirov 2 , Igor Aharonovich 3, 4 , Andreas Gottscholl 5 , Andreas Sperlich 5 , Vladimir Dyakonov 5 , Victor A Soltamov 1
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缺陷自旋与周围原子核的相干耦合以及读取后者的禀赋是量子技术应用的基本要求。我们表明，六方氮化硼 (hBN) 中带负电的硼空位 (VB – ) 满足这些先决条件。我们证明了 V B自旋的哈恩回波相干性，特征衰减时间T coh = 15 μs，接近理论预测的 hBN 缺陷极限 18 μs。通过 Carr-Purcell-Meiboom-Gill 去耦技术证明了相干时间延长至 36 μs。哈恩回波衰减的调制被证明是由 V B的相干耦合引起的-通过 2.11 MHz 的核四极相互作用与三个最近的14 N 核自旋。DFT 计算证实电子-核耦合仅限于缺陷层，并且随着从体层到单层的转变几乎保持不变。
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更新日期：2022-03-31
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