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ZnO薄膜的微观结构和压电性能
Materials Science in Semiconductor Processing ( IF 4.2 ) Pub Date : 2022-03-29 , DOI: 10.1016/j.mssp.2022.106680 Ayana A 1 , Fei Hou 2 , Jan Seidel 2, 3 , Rajendra B V 1 , Pankaj Sharma 2, 3
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更新日期:2022-03-29
Materials Science in Semiconductor Processing ( IF 4.2 ) Pub Date : 2022-03-29 , DOI: 10.1016/j.mssp.2022.106680 Ayana A 1 , Fei Hou 2 , Jan Seidel 2, 3 , Rajendra B V 1 , Pankaj Sharma 2, 3
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采用化学喷雾热解法,在 p 型硅衬底上合成了纳米结构的 ZnO 薄膜。制造的薄膜在不同的沉积温度(300-500°C)下生长,并使用微观结构、电学和纳米压电技术的组合进行表征。X 射线衍射结果与压电响应力显微镜一致,证实沉积物具有六方纤锌矿结构,随着沉积温度高于 350,其择优取向从 (0 0 2) 变为 (1 0 1)摄氏度。在 450 °C 下获得了具有最佳结晶度、电迁移率和载流子浓度的 ZnO 纳米结构。XPS 光谱用于确定薄膜的化学状态和元素组成。随着温度的升高,带隙的减小与计算的微晶尺寸密切相关。由于其缺陷性质,在较低温度下沉积的样品显示出最强的蓝色发射。一项比较纳米级压电研究表明,与在其他沉积温度下制造的样品相比,350 °C 下的压电响应增强。因此,我们的研究揭示了沉积温度在控制和调整喷雾热解 ZnO 薄膜的微观结构和压电特性中的重要作用。一项比较纳米级压电研究表明,与在其他沉积温度下制造的样品相比,350 °C 下的压电响应增强。因此,我们的研究揭示了沉积温度在控制和调整喷雾热解 ZnO 薄膜的微观结构和压电特性中的重要作用。一项比较纳米级压电研究表明,与在其他沉积温度下制造的样品相比,350 °C 下的压电响应增强。因此,我们的研究揭示了沉积温度在控制和调整喷雾热解 ZnO 薄膜的微观结构和压电特性中的重要作用。
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