当前位置: X-MOL 学术Mater. Today Commun. › 论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
Sn掺杂的FeSe0.4Te0.6单晶的Jc显着增强和Jc各向异性抑制
Materials Today Communications ( IF 3.7 ) Pub Date : 2022-03-25 , DOI: 10.1016/j.mtcomm.2022.103433
Yutong Liu 1, 2 , Yu Lin 1, 2, 3 , Jiajia Qin 1, 2 , Zhiwei Wen 4 , Shaolong He 3 , Yong Zhao 1, 2, 4
Affiliation  

FeSe 1-x Te x超导体具有优异的物理和化学性能。然而,临界电流密度(J c)的各向异性和缺乏强磁通钉扎仍然阻碍了它的实际应用。本文通过生长Fe 1-y Sn y Se 0.4 Te 0.6晶体来研究Sn掺杂对提高超导性能的影响。与未掺杂相比,y =0.08的Sn掺杂晶体的J c和不可逆场H irr显着增强。在4.2-8的温度范围内  K 和高达 7 T的磁场, J c增加了 4 倍,同时,J c各向异性参数,γ = J c H||c / J c H⊥c显着降低。结构和微观结构分析表明,在FeSe 0.4 Te 0.6中掺杂Sn降低了晶体的各向异性并引入了第二相纳米颗粒,这可以认为是降低J c各向异性和显着增强FeSe 的磁通钉扎力的主要原因。 0.40.6超导体。由于本征钉扎的存在或纳米粒子引入的新钉扎机制,FeSe 0.4 Te 0.6Hc或更高掺杂水平样品(y =0.08)中的钉扎行为明显偏离δℓ型点钉扎在未掺杂的 FeSe 0.4 Te 0.6晶体的平面内钉扎中经常观察到的行为。





"点击查看英文标题和摘要"

更新日期:2022-03-25
down
wechat
bug