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来自二酮吡咯并吡咯衍生物的厚发射层 OLED 的低光放大阈值和降低的效率滚降
Macromolecular Rapid Communications ( IF 4.2 ) Pub Date : 2022-03-25 , DOI: 10.1002/marc.202200115
Atul Shukla 1, 2 , Volter Entoma 1, 2 , Sarah K M McGregor 1, 3 , Monirul Hasan 1, 2 , Masashi Mamada 4 , Evan G Moore 3 , Chihaya Adachi 4, 5 , Shih-Chun Lo 1, 3 , Ebinazar B Namdas 1, 2
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大电流注入下的外部量子效率 (EQE) 滚降一直是有机半导体激光二极管 (OSLD) 发展的主要限制因素之一。虽然在可见光谱蓝绿色区域发射的有机半导体 (OSC) 在这方面取得了重大进展,但发射波长较长 (>600 nm) 的有机半导体 (OSC) 在材料开发和器件架构的进步方面都落后了适合OSLD的实现。因此,为了同时取得进步,一个由高性能聚 (9,9-二辛基芴-alt) 组成的主客系统-benzothiadiazole) (F8BT) 聚合物和高效的小分子激光染料二噻吩二酮吡咯并吡咯 (DT-DPP)。这种组合在 620 nm 的发射波长下提供了 4.2 µJ cm -2的极低放大自发发射阈值。使用该系统制造的溶液处理有机发光二极管 (OLED) 具有 2.6% 的高外部量子效率 (EQE),具有低效率滚降和高达 90 A cm -2的高电流注入,从而产生超高亮度超过 150 万 cd m -2



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更新日期:2022-03-25
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