单层 NbSe2 异质/同相结中电荷密度波阶的尺寸依赖性,The Journal of Physical Chemistry Letters

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单层 NbSe2 异质/同相结中电荷密度波阶的尺寸依赖性
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2022-02-18 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.1c04138
Zeping Huang ₁ , Xuan Song ₁ , Yaoyao Chen ₁ , Han Yang ₁ , Peiwen Yuan ₁ , Hang Ma ₂ , Jingsi Qiao _{1,

3} , Yu Zhang ₁ , Jiatao Sun ₁ , Teng Zhang ₁ , Yuan Huang ₁ , Liwei Liu ₁ , Hong-Jun Gao ₄ , Yeliang Wang ₁

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控制二维 (2D) 晶体中的电荷密度波 (CDW) 阶数引起了极大的兴趣，因为它们的基本物理特性和对小型化器件的需求。在这项工作中，我们系统地研究了单层异质/均质 NbSe ₂堆叠结中尺寸相关的 CDW 阶数。我们发现结的顶部 1T-NbSe ₂层中的 CDW 顺序高度依赖于其横向尺寸。对于1T/2H-NbSe _{2异质结，1T-NbSe}₂岛形成明确定义的CDW 级数的临界横向尺寸为~26 nm，而在15 nm 以下，CDW 级数熔化。然而，对于 1T/1T-NbSe ₂同质结，即使横向尺寸<11 nm，岛屿中的CDW顺序也可以持续存在。我们的研究结果阐明了二维范德华异质/同质结中存在的尺寸相关 CDW 订单的新现象，并为控制 CDW 订单提供了有用的信息。

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更新日期：2022-02-18

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