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高能晶体中的 n-π 堆积
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2022-02-18 , DOI: 10.1021/acs.cgd.2c00034 Shijie Li 1, 2 , Ruijun Gou 2 , Chaoyang Zhang 1, 3
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2022-02-18 , DOI: 10.1021/acs.cgd.2c00034 Shijie Li 1, 2 , Ruijun Gou 2 , Chaoyang Zhang 1, 3
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n-π堆积是指通过孤对电子（n）-π-结构相互作用的分子堆积。作为氢键（HB）和π-π堆积的重要补充堆积模式，在分子间相互作用中通常占主导地位，它在高能晶体中通常被忽略。这项工作从 CSD 中提取了典型的 n-π 堆叠高能单组分晶体和共晶体，并将它们分为三种形式，包括 NO 2苯环的接触，NO 2杂环和呋喃环-呋喃环。高能晶体中的 n-π 堆积具有弱静电吸引的性质，因为每个 n-π 对总是具有一个带弱正电荷的 π 和一个带弱负电荷的 n。这种吸引力的能量范围为 6.3 到 20.0 kJ/mol，通常比分子间 HB 和 π-π 堆积弱。n-π 堆积呈现出 T 型模式，对于具有强 HB 受体和供体的平面分子，很难单独发生。希望这项工作有望丰富和完善高能晶体中分子间相互作用的知识，为全面了解其中的分子堆积铺平道路。
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更新日期：2022-02-18
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