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单层 MoS2 单晶薄片的形态演变
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2022-02-10 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c10342
Qingxuan Li 1 , Lei Zhang 1 , Chengyao Li 1 , Jie He 1 , Yifan Wei 2 , Jinzhu Zhao 3, 4 , Ruili Zhang 1 , Peng Wang 2 , Shaojie Fu 1 , Fei Chen 1 , Ruwen Peng 1 , Mu Wang 1, 5
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2022-02-10 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c10342
Qingxuan Li 1 , Lei Zhang 1 , Chengyao Li 1 , Jie He 1 , Yifan Wei 2 , Jinzhu Zhao 3, 4 , Ruili Zhang 1 , Peng Wang 2 , Shaojie Fu 1 , Fei Chen 1 , Ruwen Peng 1 , Mu Wang 1, 5
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了解和控制过渡金属二硫化物 (TMD) 二维晶体的生长形态对于开发用于自旋电子学、谷电子学、电子学和光学的高质量晶体材料至关重要。在这里，我们报告了我们对在化学气相沉积中观察到的 MoS 2微晶形态演变的研究。结果表明，随着时间的推移，MoS 2的生长形态薄片经历从三角形到星形的过渡，然后回到三角形，最后变成凸出的不规则形态。通过调节元素源的温度，可以调节生长界面上S和Mo的原子比。S/Mo比的变化影响微晶边缘的边缘扩散长度和形核行为，导致不同的生长形态。我们的观察为如何设计形态和控制 TMD 晶体片的质量提供了线索。
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更新日期：2022-02-10
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