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11族硫属化合物中具有高稳定性和电子迁移率的二维半导体材料：MNX（M=Cu、Ag、Au；N=Cu、Ag、Au；X=S、Se、Te；M≠N）
Nanoscale ( IF 5.8 ) Pub Date : 2022-02-09 , DOI: 10.1039/d1nr06971c Wei Shangguan 1 , Cuixia Yan 1 , Wenqing Li 1 , Chen Long 2 , Liming Liu 1 , Chenchen Qi 1 , Qiuyang Li 1 , Yan Zhou 1 , Yurou Guan 1 , Lei Gao 3 , Jinming Cai 1
Nanoscale ( IF 5.8 ) Pub Date : 2022-02-09 , DOI: 10.1039/d1nr06971c Wei Shangguan 1 , Cuixia Yan 1 , Wenqing Li 1 , Chen Long 2 , Liming Liu 1 , Chenchen Qi 1 , Qiuyang Li 1 , Yan Zhou 1 , Yurou Guan 1 , Lei Gao 3 , Jinming Cai 1
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为下一代电子器件的应用寻找具有合适带隙、高稳定性和高迁移率的新型二维（2D）半导体材料仍然是一项紧迫的任务。基于第一性原理计算，我们报告了一类新的二维 11 族硫属元素三元单分子层（MNX，其中 M = Cu、Ag、Au；N = Cu、Ag、Au；X = S、Se、Te；M ≠ N) 具有宽禁带宽度、优异的稳定性（动态稳定性、热力学稳定性和环境稳定性）和高迁移率。在混合密度功能水平上，能带隙从 0.61 eV 延伸到 2.65 eV，覆盖紫外-A 和可见光区域，这对于宽带光学响应至关重要。对于δ-MNX单分子层，载流子迁移率高达10 4 cm 2 V -1s -1在室温下。特别是δ-AgAuS的迁移率高达6.94×10 4 cm 2 V -1 s -1，对于未来电子器件的应用具有重要的研究意义。基于以上优势，11族硫属化物MNX单分子薄膜未来在纳米电子学和光电子学领域具有广阔的前景。
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更新日期：2022-02-09
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