当前位置:
X-MOL 学术
›
J. Polym. Res.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
核壳结构 Mo@MoO3 填料增强 PVDF:半导体 MoO3 夹层对复合材料介电性能的影响
Journal of Polymer Research ( IF 2.6 ) Pub Date : 2022-02-08 , DOI: 10.1007/s10965-022-02925-7 Juanjuan Zhou 1 , Wenying Zhou 1 , Dan Cao 1 , Caihua Zhang 1 , Weiwei Peng 1 , Tian Yao 1 , Jing Zuo 1 , Jiangtao Cai 1 , Ying Li 2
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期:2022-02-09
Journal of Polymer Research ( IF 2.6 ) Pub Date : 2022-02-08 , DOI: 10.1007/s10965-022-02925-7 Juanjuan Zhou 1 , Wenying Zhou 1 , Dan Cao 1 , Caihua Zhang 1 , Weiwei Peng 1 , Tian Yao 1 , Jing Zuo 1 , Jiangtao Cai 1 , Ying Li 2
Affiliation
聚合物和导电颗粒之间的绝缘夹层对于抑制复合材料的耗散因子 ( tanδ ) 至关重要。为了抑制钼 (Mo) 颗粒/聚偏氟乙烯 (PVDF) 复合材料的大tanδ ,同时仍保持接近填料渗透阈值 ( fc )的高介电常数 ( εr ),首先采用 Mo 颗粒通过简便的直接热氧化法在600℃下包覆一层三氧化钼(MoO 3 )壳,然后复合成PVDF。MoO 3的影响研究了涂层对 Mo/PVDF 复合材料介电性能的影响,包括填料负载、壳层厚度和频率。结果表明,煅烧时间和填料用量均显着影响复合材料的介电性能。与原始 Mo/PVDF 相比, Mo@MoO 3 /PVDF 复合材料表现出高ε r但低得多的tanδ,因为半导体 MoO 3壳有效地防止原始 Mo 颗粒相互连接,从而极大地抑制了损耗和漏电流即使在高填料含量 > f c. 随着层间厚度的进一步增加,由于逐渐显着的抑制效应,介电损耗和电导率均相应下降。所得的Mo@MoO 3 /PVDF复合材料具有高εr但低tanδ,可能是微电子和电气工业中潜在应用的理想介电材料。
"点击查看英文标题和摘要"