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立方Tb 2 O 3单晶在1230°C下的通量生长及其光学和磁性的表征
CrystEngComm ( IF 2.6 ) Pub Date : 2014-10-30 00:00:00 , DOI: 10.1039/c4ce02006e
Philippe Veber , Matias Velázquez , Grégory Gadret , Daniel Rytz , Mark Peltz , Rodolphe Decourt
CrystEngComm ( IF 2.6 ) Pub Date : 2014-10-30 00:00:00 , DOI: 10.1039/c4ce02006e
Philippe Veber , Matias Velázquez , Grégory Gadret , Daniel Rytz , Mark Peltz , Rodolphe Decourt
在这项工作中，我们介绍了立方Tb 2 O 3单晶的第一个晶体生长，它是通过受控气氛通量法进行的，该方法使用的是不含重金属的溶剂，其工作温度低于该倍半氧化物的熔化温度的一半。从生长的球团中提取的立方毫米大小的晶体是相（粉末XRD）和化学（GDMS）纯的，并在可见光和近红外光谱范围内显示Verdet常数，至少比市售的高3倍。 b 3 Ga 5 O 12（TGG）晶体。在525 nm–1.38μm光谱范围内，厚度1.36 mm的晶体的透射系数高于77％。在单晶上的吸收光谱，磁化率和比热测量结果证实不存在可检测的Tb 4+阳离子和其他杂质。
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更新日期：2014-10-30
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