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CeO2/TiO2 (001) 表面汞氧化的完全催化反应:DFT 研究
Journal of Hazardous Materials ( IF 12.2 ) Pub Date : 2022-02-04 , DOI: 10.1016/j.jhazmat.2022.128434
Ye Jiang 1, 2 , Guomeng Zhang 1, 2 , Tianyu Liu 1, 2 , Zhengda Yang 1, 2 , Yichao Xu 1, 2 , Riyi Lin 1, 2 , Xinwei Wang 1, 2
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CeO 2 /TiO 2催化剂是一种很有前途的材料,可实现脱硝和除汞一体化,减少汞排放。采用密度泛函理论(DFT)研究了Hg 0在HCl和O 2存在下CeO 2 /TiO 2 (001)表面的氧化机理。结果表明Hg 0物理吸附在CeO 2 /TiO 2 (001)表面。作为重要的中间体,HgCl利用增强的化学吸附作用吸附在CeO 2 /TiO 2 (001)表面,而HgCl 2的吸附能仅为–57.05 千焦/摩尔。在没有HCl的情况下,汞氧化遵循Mars-Maessen机理,具有较高的能垒,产物(HgO)难以解吸,阻碍了反应过程。当HCl存在时,HCl解离产生活性氯(Cl*),汞氧化遵循Langmuir-Hinshelwood机理。HCl和O 2的共存对Hg 0的吸附没有显着影响,但降低了反应能垒,最终产物(HgCl 2)更容易从催化剂表面解吸。此外,在CeO 2 /TiO 2上催化氧化Hg 0的两条完整循环反应途径 (001)表面被构建以阐明详细的反应过程。





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更新日期:2022-02-04
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