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半选无干扰 8T 低泄漏 SRAM 单元
International Journal of Circuit Theory and Applications ( IF 1.8 ) Pub Date : 2022-02-02 , DOI: 10.1002/cta.3232 Rohit Lorenzo 1 , Roy Paily 2
International Journal of Circuit Theory and Applications ( IF 1.8 ) Pub Date : 2022-02-02 , DOI: 10.1002/cta.3232 Rohit Lorenzo 1 , Roy Paily 2
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这项工作提出了一种稳健且低泄漏的新型 8T 静态随机存取存储器 (SRAM) 单元，没有任何半选择干扰。所提议的单元通过消除来自电源和接地的轨迹来消除写入干扰。此外，它通过将读取路径与存储节点分离来消除读取干扰。所提出的单元通过使用不同的控制信号来解决半选的挑战。由于虚拟接地 (VGND)、串联尾晶体管和接入串联堆叠晶体管，该单元实现了低泄漏。为了研究所提出的 SRAM 的实用性，将其与 6T、10T、9T、PG9T、7T 和 8T SRAM 单元进行了比较。所提出的 SRAM 将泄漏功率、写入功率和读取功率降低了 12.4%、21.62% 和 29.06%。此外，所提出的单元将读写噪声容限提高了 57.19% 和 19.96%，分别与传统的 6T SRAM 相比。同样，与 10T SRAM 相比，写入能耗降低至约 43.86 倍，而读取能耗降低至 28.95 倍。
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更新日期：2022-02-02
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