通过 XeF2 介导的表面氧化调节 MoTe2 的电性能,Nanoscale Advances

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通过 XeF2 介导的表面氧化调节 MoTe2 的电性能
Nanoscale Advances ( IF 4.6 ) Pub Date : 2022-01-05 , DOI: 10.1039/d1na00783a
Eunji Ji ₁ , Jong Hun Kim _{1,

2,

3} , Wanggon Lee ₄ , June-Chul Shin ₂ , Hyungtak Seo ₅ , Kyuwook Ihm ₆ , Jin-Woo Park ₁ , Gwan-Hyoung Lee _{2,

3,

7,

8}

Affiliation

过渡金属二硫属化物 (TMD) 因其优异的电学特性而成为半导体行业的有希望的候选者。它们的表面氧化是令人感兴趣的，因为它们的电性能可以很容易地通过它们顶部的氧化层来调节。在这里，我们展示了XeF _{2介导的2H-MoTe}₂（α相MoTe ₂）的表面氧化。由于钝化效应和同时蚀刻，暴露于 XeF ₂气体的MoTe _{2在 MoTe}₂上形成薄而均匀的氧化层（~2.5 nm 厚的 MoO _x），无论暴露时间如何（~120 s 内）。我们将氧化层用于金属和 MoTe _{2之间的接触}，这有助于通过直接金属沉积工艺克服费米能级钉扎效应来降低接触电阻。_{具有MoO x}中间层的MoTe ₂场效应晶体管（FET）表现出两个数量级的场效应空穴迁移率（6.31 cm ² V ^-1 s ^{-1 ），具有~}^{10 5}的高开/关电流比。具有常规金属触点的MoTe ₂器件(0.07 cm ² V ^-1 s ^-1 )。_{我们的工作展示了一种为 MoTe 2}器件形成薄氧化层的简单有效的方法，适用于 2D 电子设备。

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更新日期：2022-01-05

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