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使用 FEM 和部分元件等效电路评估 kHz 范围内交流损耗的集成方法
IEEE Transactions on Applied Superconductivity ( IF 1.7 ) Pub Date : 2021-11-19 , DOI: 10.1109/tasc.2021.3129440 Gabriel dos Santos 1 , Barbara Maria Oliveira Santos 2 , Flavio Goulart dos Reis Martins 1 , Felipe Sass 1 , Guilherme Goncalves Sotelo 1 , Rubens de Andrade 2
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本文提出了一种新方法，使用 TA 公式与电路中的集总参数耦合，并考虑集肤深度方法。有限元方法对超导层进行建模，电路将稳定器和基底层建模为集总参数，并且耦合引擎将两者连接起来。交流损耗已通过 TA 1-D 和 TA 2-D 公式计算：第一个公式使用本文提出的方法，第二个公式使用两个电流矢量电势分量。对于这三个公式，我们研究了作为频率和电流函数的平均功耗，以及作为频率函数的峰值电流。我们将 TA 1-D 和 TA 2-D 配方与之前研究的 H 配方结果进行了比较。比较平均功耗的结果，我们发现 TA 1-D 的最大误差约为 10.5%，TA 2-D 的最大误差约为 35%。与 TA 2-D 配方相比，所提出技术的效率被评估为成本降低了 16 倍。
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