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在未掺杂的假晶 InGaN/AlN 异质结构中观察到的超高密度 (>1014 cm-2) 极化诱导二维空穴气体
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2022-01-05 , DOI: 10.1002/aelm.202101120
Reet Chaudhuri 1 , Zexuan Zhang 1 , Huili Grace Xing 1, 2, 3 , Debdeep Jena 1, 2, 3
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2022-01-05 , DOI: 10.1002/aelm.202101120
Reet Chaudhuri 1 , Zexuan Zhang 1 , Huili Grace Xing 1, 2, 3 , Debdeep Jena 1, 2, 3
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在 p 沟道场效应晶体管中需要高空穴密度以提高速度和导通电流。在最近发现的未掺杂、极化诱导的 GaN/AlN 二维空穴气 (2DHG) 的基础上，这项工作展示了通过在 GaN 通道中引入铟来调节跨异质界面的压电极化差异。通过精心设计和外延生长，这些假晶 (In)GaN/AlN 异质结构在 III 族氮化物异质结构中产生了 >10 14 cm -2的一些最高载流子密度——仅低于 ≈10 15的固有晶体极限一个数量级厘米-2。这些超高密度 InGaN/AlN 2DHG 的室温迁移率为 0.5–4 cm 2 V -1s -1并且不会在低温下结冰。在实验的基础上，提出了InGaN合金空穴散射的特征合金波动能量为1.0 eV。
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更新日期：2022-01-05
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