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铕掺杂 CsPbCl3 纳米晶体中缺陷的级联能量转移和底层电荷转移
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2021-12-27 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.1c03661 Ayushi Shukla 1 , Gurpreet Kaur 1 , Kaliyamoorthy Justice Babu 1 , Arshdeep Kaur 1 , Dharmendra Kumar Yadav 1 , Hirendra N Ghosh 1, 2
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2021-12-27 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.1c03661 Ayushi Shukla 1 , Gurpreet Kaur 1 , Kaliyamoorthy Justice Babu 1 , Arshdeep Kaur 1 , Dharmendra Kumar Yadav 1 , Hirendra N Ghosh 1, 2
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在铯氯化铅 (CsPbCl 3 ) 中掺杂稀土离子 (RE 3+ )为探索光学、磁性和电荷载流子传输特性的变化开辟了新的前景。这导致了光电应用的巨大进步，但缺乏对控制能量转移过程的光物理学的深入理解，需要给予高度关注。在此，我们借助飞秒荧光上转换和瞬态吸收（TA）光谱研究了从主体（CsPbCl 3）带边缘到掺杂剂铕离子（Eu 3+ ）的机械转移过程。上转换测量描绘了从 CsPbCl 3到 Eu 3+的缺陷介导的级联能量转移以及 Eu 3+态之间的进一步交叉弛豫。此外，TA 研究表明，电荷从 CsPbCl 3的能带边缘转移到掺杂诱导的浅缺陷态。此外，即使在带隙激发下，双光子吸收研究也不会影响转移机制。这项工作验证了 Eu-CsPbCl 3是光电应用的合适进入者。
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更新日期：2022-01-13
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