当前位置：
X-MOL 学术
›
Phys. Status Solidi A
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
用汞探针电容-电压和电流-电压表征 AlXGa1−XN/GaN 高电子迁移率晶体管结构
Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science Pub Date : 2021-12-14 , DOI: 10.1002/pssa.202100416 Eric Tucker 1 , Frank Ramos 1 , Samuel Frey 2 , Robert J. Hillard 2 , Peter Horvath 2 , Gyula Zsakai 2 , Attila Marton 2
Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science Pub Date : 2021-12-14 , DOI: 10.1002/pssa.202100416 Eric Tucker 1 , Frank Ramos 1 , Samuel Frey 2 , Robert J. Hillard 2 , Peter Horvath 2 , Gyula Zsakai 2 , Attila Marton 2
Affiliation
|
高电子迁移率晶体管 (HEMT) 结构的表征对于预测器件行为、监控和开发过程以及提高性能非常重要。多频电容 - 电压 (CV) 和直流 - 电压 (IV) 方法与汞探针一起应用，以评估有和没有覆盖层的 HEMT，以监测诸如夹断电压、二维电子气 (2DEG) 等关键参数片电荷、GaN 载流子密度分布、AlGaN 厚度以及顶部覆盖层的介电常数和特性。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期：2021-12-14
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号