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XCoGe(X = V、Nb 和 Ta)半赫斯勒化合物热电性质的第一性原理研究
Materials Science in Semiconductor Processing ( IF 4.2 ) Pub Date : 2021-12-08 , DOI: 10.1016/j.mssp.2021.106387
Xilin Xiong 1 , Rundong Wan 1 , Zhengfu Zhang 1 , Ying Lei 2 , Guocai Tian 1
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由于其优异的转换性能,半赫斯勒化合物是一种很有前途的热电材料。在本研究中,我们基于密度泛函理论研究了 XCoGe(X = V、Nb 和 Ta)化合物的电子结构和热电特性。结合半经典玻尔兹曼输运方程和形变势理论,分析了塞贝克系数、弛豫时间、电导率、功率因数、电子热导率、晶格热导率等热电性质。NbCoGe 化合物具有大的无量纲品质因数,这与大的电导率、小有效质量和大弛豫时间有关。该ZT在 T = 1200 K 时,n 型和 p 型 NbCoGe 化合物的值分别达到 1.6 和 1.3。这些发现将为探索具有高热电性能的半赫斯勒化合物提供有价值的指导。





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更新日期:2021-12-08
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