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脉冲激光沉积制造的掺铒 β-Ga2O3 肖特基势垒二极管中的反向偏置电致发光
Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science Pub Date : 2021-12-01 , DOI: 10.1002/pssa.202100610 Sergiy Khartsev 1 , Mattias Hammar 1 , Nils Nordell 1 , Aleksejs Zolotarjovs 2 , Juris Purans 2 , Anders Hallén 1
Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science Pub Date : 2021-12-01 , DOI: 10.1002/pssa.202100610 Sergiy Khartsev 1 , Mattias Hammar 1 , Nils Nordell 1 , Aleksejs Zolotarjovs 2 , Juris Purans 2 , Anders Hallén 1
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展示了反向偏置 Er 掺杂的 β-Ga 2 O 3肖特基势垒二极管的强电致发光 (EL)。这些器件是通过脉冲激光沉积制备的，具有 n 型掺杂剂 Si 和等价 Er 的共掺杂，而肖特基接触是通过 Pt 溅射形成的。二极管在原始状态下在±3 V 时显示出超过九个数量级的整流比，但在产生0.2-0.4 A cm -2漏电流密度的反向偏压下，会出现清晰可见的多波段EL。EL 均匀分布在二极管区域，峰值波长与所报道的 Er 3+跃迁相比非常好。
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更新日期：2021-12-01
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