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Ag烧结键合层厚度对SiC功率器件高温可靠性的影响
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology ( IF 2.3 ) Pub Date : 2021-09-07 , DOI: 10.1109/tcpmt.2021.3110997 Zhongyang Deng , Guisheng Zou , Qiang Jia , Bin Feng , Hongqiang Zhang , Hui Ren , Lei Liu
纳米银烧结是一种很有前景的宽带隙半导体功率器件芯片粘接技术，但纳米银的高成本限制了其工业应用。减少胶层厚度（BLT）对于节省成本是有效的，但其对可靠性的影响却很少被研究，特别是在高温操作下。在这项工作中，通过脉冲激光沉积（PLD）为各种 BLT 接头制备了不含有机物的纳米结构银膜。系统研究了 BLT (3.5–60 μm60~\mu \text{m} ) 对贴片模块高温可靠性的影响。结果表明，随着BLT的增加，接头的剪切强度和动力循环次数均增加。综合考虑可靠性和成本，最佳 BLT 范围为 25–50 μm50~\mu \text{m}。非常有趣的是，我们发现沿 BLT 方向的连接率在芯片和 DBC 键合线界面处存在两个谷，这明显对应于功率循环测试中的裂纹扩展。
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