单层 1T-NbSe2 作为二维相关磁绝缘体,Science Advances

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单层 1T-NbSe2 作为二维相关磁绝缘体
Science Advances ( IF 11.7 ) Pub Date : 2021-11-01 , DOI: 10.1126/sciadv.abi6339
Mengke Liu ₁ , Joshua Leveillee _{1,

2} , Shuangzan Lu ₃ , Jia Yu ₁ , Hyunsue Kim ₁ , Cheng Tian ₄ , Youguo Shi ₄ , Keji Lai ₁ , Chendong Zhang ₃ , Feliciano Giustino _{1,

2} , Chih-Kang Shih ₁

Affiliation

1T 相中的单层 V 族过渡金属二硫化物最近成为研究物质丰富相的平台，例如自旋液体和铁磁性，这是由强电子相关性引起的。新出现的 1T-NbSe ₂激发了预测集体现象的理论研究，例如二维的电荷转移间隙和铁磁性；但是，仍然缺乏实验证据。在这里，通过控制分子束外延生长参数，我们展示了高质量单相 1T-NbSe _{2的成功生长}. 通过结合扫描隧道显微镜/光谱学和从头算计算，我们表明该系统是电荷转移绝缘体，上哈伯德带位于价带最大值上方。为了证明电子关联导致的磁性，我们创建了一个垂直的 1T/2H NbSe ₂异质结构，并且我们找到了 1T 相中局部磁矩与金属/超导相之间交换相互作用的明确证据，例如 Kondo 共振和 Yu-Shiba -Rusinov——类似束缚态。

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更新日期：2021-11-20

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