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用EFG法研究β-Ga2O3晶体中的蓝色中心
CrystEngComm ( IF 2.6 ) Pub Date : 2021-10-21 , DOI: 10.1039/d1ce01078f
Bo Fu 1, 2 , Wenxiang Mu 1, 2 , Yang Li 1 , Yujun Shi 3 , Yanbin Li 4 , Zhitai Jia 1, 5 , Xutang Tao 1, 2
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β 型氧化镓 (β-Ga 2 O 3 ) 因其在 4.9 eV 左右的宽带隙而作为透明导电氧化物 (TCO) 半导体的应用引起了极大的关注。然而,在某些情况下,通过边缘定义薄膜生长 (EFG) 方法无意掺杂的 β-Ga 2 O 3晶体会呈现蓝色,这使得它们作为 TCO 的应用成为一个挑战。在此,我们重点研究β-Ga 2 O 3中的蓝色中心EFG 生长的晶体。辉光放电质谱(GDMS)用于测量杂质浓度。X 射线衍射显示蓝色区域的晶格收缩。湿蚀刻方法用于证明蚀刻坑的密度。来自阴极发光(CL)的高强度蓝色发射证明蓝色区域中存在足够数量的空位。X 射线光电子能谱 (XPS) 分析表明,Ga I 3d (Ga + ) 丰富地存在于蓝色区域。透射光谱结合电容-电压 (C-V) 测量提供了证据,表明从 UV 到 NIR 具有较低透射率的蓝色区域更具有导电性。Ga I 3d (Ga +) 引起的空位被推测为蓝色中心。在氧气气氛中通过高温退火可以去除蓝色色心。



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更新日期:2021-11-11
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