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GeS 和 GeS:Gd 的电子和光学性质
International Journal of Modern Physics B ( IF 2.6 ) Pub Date : 2021-11-03 , DOI: 10.1142/s0217979221503057
A. O. Dashdemirov 1 , S. G. Asadullayeva 2 , A. S. Alekperov 1 , N. A. Ismayilova 2 , S. H. Jabarov 1, 3
International Journal of Modern Physics B ( IF 2.6 ) Pub Date : 2021-11-03 , DOI: 10.1142/s0217979221503057
A. O. Dashdemirov 1 , S. G. Asadullayeva 2 , A. S. Alekperov 1 , N. A. Ismayilova 2 , S. H. Jabarov 1, 3
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本文介绍了在 GeS 晶体电子光谱的密度泛函理论框架内的第一性原理计算结果。研究了状态密度和带间光学跃迁。发现GeS化合物具有半导体特性，带隙为1.52 eV。费米能级附近能带的主要贡献来自 3p s 𝜀 ⊥ ) 小号 ( p ) + 葛 ( s ) → 葛 ( p ) + 小号 ( s ) 3 +
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更新日期：2021-11-03
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