依靠GeH ₄与固态Co层的催化化学气相反应，开发了一种低温工艺，以在300 mm硅晶片上合成超薄CoGe ₂层（10–20 nm）。Co与GeH ₄的选择性反应导致在正交晶结构中结晶的CoGe ₂膜的直接形成。在锗化反应条件下进行的详细研究表明，获得低电阻，无缺陷且连续的CoGe ₂膜的最佳温度（325°C对400°C）取决于初始Co厚度。对锗锗化物生长演化各个阶段的研究表明，Co完全转化，导致了封闭的和化学计量的CoGe通过原子力显微镜（AFM），卢瑟福背散射（RBS）和薄层电阻（ R _s）分析证明，在暴露了GeH ₄ 60 s后发生了₂幅膜。发现CoGe _2的形成具有自限性生长。这些层在较大的工艺窗口内显示出恒定的膜性能（相纯度，电阻率，组成均匀性，均匀性和平滑的形态，且均方根粗糙度增加不明显），受到过量的GeH ₄暴露条件的影响可忽略不计。独立于所采用的沉积后退火（RTA或炉内退火），结果表明CoGe ₂层在高达500°C的温度下具有热稳定性，而不会发生相变或形貌退化或膜变粗糙。对于10–20 nm CoGe ₂薄膜，观察到的电阻率值在70–50μΩcm的范围内。



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