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2端III-V//Si三结太阳能电池,AM1.5g功率转换效率为35.9%
Progress in Photovoltaics ( IF 8.0 ) Pub Date : 2021-11-03 , DOI: 10.1002/pip.3503
Patrick Schygulla 1 , Ralph Müller 1 , David Lackner 1 , Oliver Höhn 1 , Hubert Hauser 1 , Benedikt Bläsi 1 , Felix Predan 1 , Jan Benick 1 , Martin Hermle 1 , Stefan W. Glunz 1 , Frank Dimroth 1
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III-V//Si 多结太阳能电池提供了一种提高功率转换效率超出硅单结基本俄歇极限的途径。在这项工作中,我们展示了如何通过优化 III-V 顶部,在 AM1.5g 光谱下将两端晶圆键合的 III-V//Si 三结太阳能电池的效率从 34.1% 提高到 35.9%结构体。这是迄今为止报告的基于硅的多结太阳能电池技术的最高效率。这种改进是由两个主要因素实现的。首先,在中间单元中集成 GaInAsP 吸收器使开路电压增加了 51 mV。其次,所有子电池的更好电流匹配将短路电流提高了 0.7 mA/cm 2. 研究了两种不同的生长方向,直立和倒置。 采用直立生长结构实现了35.9% 的最高电池效率 ( V oc  = 3.248 V, j sc  = 13.1 mA/cm 2 , FF = 84.3 %)。直立结构的处理需要额外的键合步骤,这会导致整个晶圆上电池性能的均匀性降低。与目前最好的三结太阳能电池的详细比较揭示了未来的改进机会和限制,分别考虑电压和电流。



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更新日期:2021-11-03
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