钙钛矿 Cs2SnCl6 中的多掺杂工程：白光发射器和空间发光异质结构,Inorganic Chemistry

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钙钛矿 Cs2SnCl6 中的多掺杂工程：白光发射器和空间发光异质结构
Inorganic Chemistry ( IF 4.3 ) Pub Date : 2021-10-27 , DOI: 10.1021/acs.inorgchem.1c02840
Yu Zhong ₁ , Yue-E Huang ₁ , Tao Deng ₁ , Yi-Tong Lin ₁ , Xiao-Ying Huang ₂ , Zhong-Hua Deng ₂ , Ke-Zhao Du _{1,

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Bi ³⁺ /Te ⁴⁺共掺杂Cs ₂ SnCl ₆具有双发射光谱（即450和575 nm）是通过改进的溶液法实现的，它可以克服以前方法中Cs ₂ SnCl ₆晶体的相分离生长。由两种掺杂剂 Bi ³⁺和 Te ⁴⁺产生的两个发射峰具有不同的光致发光 (PL) 寿命。因此，掺杂剂比率或 PL 延迟时间的控制将调节 450 和 575 nm 峰值之间的 PL 强度比率，从而导致可调节的发射颜色。由光谱和 PL 寿命证实的两个发射中心之间的能量转移具有大约 7.8 nm 的临界距离，最大转移效率为 50%。Bi ³⁺ /Te ⁴⁺共掺杂Cs ₂ SnCl ₆在水和王水中具有优异的稳定性，被制成单相白色发光二极管。同时，通过外延Cs ₂ SnCl ₆获得了各种发光异质结构不同掺杂剂的晶体生长，这可以拓宽卤化物钙钛矿成分工程的研究。

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更新日期：2021-11-15

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