二维层状 PbSnX2 (X = S/Se) 中的高各向异性光电子学,The Journal of Physical Chemistry Letters

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二维层状 PbSnX2 (X = S/Se) 中的高各向异性光电子学
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2021-10-25 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.1c02876
Wangping Xu _{1,

2,

3} , Zijuan Xie ₃ , Jun Su ₃ , Rui Wang ₂ , Xiaozhi Wu ₂ , Hu Xu _{3,

4,

5}

Affiliation

我们系统地研究了层状 PbSnX ₂ (X = S/Se) 中的巨大各向异性光电子学。高度各向异性的光电子学主要来源于不对称亚晶格 SnX，导致光电子特性的各向异性，在单层和双层 PbSnX _{2 中}具有迷人的可见光吸收范围。我们在x和y方向均采用单轴应变，并发现了间接到直接的带隙跃迁，而准粒子间接带隙在单层 PbSnX _{2 中}呈现出色的双轴应变线性缩放。我们还证明了电子 (μ _y > μ _x ) 和空穴 (μ _x> μ _y ) 在单层和双层 PbSnX ₂ (X = S/Se) 中，自旋轨道耦合效应和层数的增加显着降低了激子结合能和带隙。最后，当薄膜厚度小于 4 层时，可以清楚地看到带结构的强层依赖性。我们的结果提供了对高度各向异性 PbSnX ₂ (X = S/Se)的基本理解，并展示了光电应用中的两个潜在候选者。

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更新日期：2021-11-04

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