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Si掺杂和空位β-Ga2O3的电子结构和光学性质的第一性原理计算
Crystal Research and Technology ( IF 1.5 ) Pub Date : 2021-10-13 , DOI: 10.1002/crat.202100126
Jifei Liu 1 , Shanshan Gao 2 , Weixue Li 2, 3 , Jianfeng Dai 2, 3 , Zhongqiang Suo 2 , Zhengting Suo 2
Crystal Research and Technology ( IF 1.5 ) Pub Date : 2021-10-13 , DOI: 10.1002/crat.202100126
Jifei Liu 1 , Shanshan Gao 2 , Weixue Li 2, 3 , Jianfeng Dai 2, 3 , Zhongqiang Suo 2 , Zhengting Suo 2
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使用广义梯度近似加哈伯德项研究了具有空位的Si掺杂β-Ga 2 O 3的电子结构和光学性质。结果表明，最容易形成的是掺杂体系，其次是掺杂空位体系和空位体系。掺杂Si后β-Ga 2 O 3的电导率显着增强，但吸收率降低。空位系统产生的缺陷能级可以增强光吸收能力，尤其是O空位系统。空位掺杂体系可以提高β-Ga 2 O 3在可见光范围内的电导率和吸收率。
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更新日期：2021-10-13
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