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通过共振散射和晶格软化的协同作用实现 p 型 PbTe 的高热电性能
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2021-10-11 , DOI: 10.1021/acsami.1c14236
Taras Parashchuk 1 , Bartlomiej Wiendlocha 2 , Oleksandr Cherniushok 1 , Rafal Knura 1, 3 , Krzysztof T Wojciechowski 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2021-10-11 , DOI: 10.1021/acsami.1c14236
Taras Parashchuk 1 , Bartlomiej Wiendlocha 2 , Oleksandr Cherniushok 1 , Rafal Knura 1, 3 , Krzysztof T Wojciechowski 1
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在这项工作中,我们展示了与 Tl 和 Na 共掺杂的p型 PbTe中电传输的同时增强和声子传播的减少。先进电子结构工程的有效利用在300 到 825 K 的温度范围内提高了热电功率因数S 2 σ。由于来自 Tl 共振态的增强的有效质量m *,获得了塞贝克系数S 的上升在 PbTe。由于钠共掺杂带来的额外载流子的存在,电导率显着提高。此外,Tl 和 Na 杂质诱导晶格软化,显着降低晶格热导率,这通过测量的低声速得到证实v m和高内部应变Cε XRD。最终,调谐电子结构和晶格软化效应的结合导致Pb 1– x – y Tl x Na y Te 样品的ZT值高达 ~2.1 。由于平均热电品质因数ZT ave的显着提高,估算的能量转换效率显示了 15.4% 的非凡值(T c = 300 K,T h = 825 K)= 1.05。这项工作表明,杂质共振散射和晶格软化的结合可以成为推进热电学的突破性概念。
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更新日期:2021-10-20

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