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β-Ga2O3薄膜厚度对β-Ga2O3@ZnO纳米复合异质材料光电性能的影响
Materials Today Communications ( IF 3.7 ) Pub Date : 2021-10-06 , DOI: 10.1016/j.mtcomm.2021.102873
Yadong Xie 1 , Yuhan Nie 1 , Ying Zheng 1 , Yao Luo 1 , Jianguo Zhang 2 , Zao Yi 1 , Fusheng Zheng 1 , Li Liu 1 , Xifang Chen 1 , Pinggen Cai 3 , Pinghui Wu 4
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纳米复合异质纳米材料优异的光电性能已广泛应用于太阳能电池领域。本研究采用磁控溅射结合水热法成功制备了β-Ga 2 O 3 @ZnO复合异质材料。通过控制磁控溅射时间来调节β-Ga 2 O 3表面的厚度,β-Ga 2 O 3膜厚对β-Ga 2 O 3光电性能的影响系统地研究了@ZnO 纳米复合材料的异质性。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱对样品的形貌和微观结构进行表征。发现适当厚度的β-Ga 2 O 3可以改善表面形貌,从而获得优异的光吸收性能。此外,根据可见光吸收测试,β-Ga 2 O 3 @ZnO纳米复合材料异质的带隙小于纯ZnO和β-Ga 2 O 3的带隙。这表明 β-Ga 2 O 3镀膜凸轮扩大了光吸收范围。因此,该复合材料通过电化学工作站中的光电流测试显示出优异的光电化学性能。结果表明β-Ga 2 O 3 @ZnO纳米复合异质结构在光电子领域具有广泛的应用潜力。





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更新日期:2021-10-06
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