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α-Ga2O3纳米棒阵列改进的多晶CH3NH3PbCl3高探测灵敏度UVA光电探测器
Applied Surface Science ( IF 6.3 ) Pub Date : 2021-09-17 , DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.151291
Shuo Liu 1 , Shujie Jiao 1 , Junhua Zhang 1 , Hongliang Lu 1 , Dongbo Wang 1 , Shiyong Gao 1 , Jinzhong Wang 1 , Liancheng Zhao 1, 2
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由于过量的 UVA 辐射对人体的皮肤、眼睛、免疫系统和血管有害,因此 UVA 辐射的检测和量化是必不可少的。本研究展示了一种基于多晶 CH 3 NH 3 PbCl 3 /α-Ga 2 O 3纳米棒阵列混合结构的高性能、准确的 UVA (320–400 nm) 检测器,该结构是通过使用简便且低成本的溶液加工制造的方法。该器件在零偏压下显示出 8.02 mA/W 的最大响应率,比裸多晶 CH 3 NH 3 PbCl 3大两个数量级光电探测器,以及高速光开关。同时,这种自供电装置的探测率高达1.9 × 10 11 Jones,甚至优于大多数报道的单晶CH 3 NH 3 PbCl 3光电探测器。该研究揭示了超宽带隙无机半导体与多晶有机-无机杂化钙钛矿相结合在光电探测器和其他光电器件的高性能方面的潜力。





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更新日期:2021-09-27
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